图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:25963 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
|
|||||||||||||||||||
#2 |
数量:4038 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
|||||||||||||||||||
#3 |
数量:1864 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 MMBT5551M3T5G |
| 文档 |
Copper Wire 19/May/2010 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Copper Wire Change 19/May/2010 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 60mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 160V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 200mV @ 5mA, 50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 50nA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 80 @ 10mA, 5V |
| 功率 - 最大 | 265mW |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-723 |
| 供应商器件封装 | SOT-723 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 60mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 200mV @ 5mA, 50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 50nA |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 160V |
| 供应商设备封装 | SOT-723 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 265mW |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 80 @ 10mA, 5V |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
| 最大功率耗散 | 640 mW |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 80 at 1 mA at 5 V, 80 at 10 mA at 5 V, 30 at 50 mA at 5 V |
| 直流电流增益hFE最大值 | 80 at 1 mA at 5 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 160 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 180 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 集电极最大直流电流 | 0.06 A |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.06 A |
| 集电极 - 基极电压（最大值） | 180 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 160 V |
| 发射极 - 基极电压（最大值） | 6 V |
| 功率耗散 | 0.64 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-723 |
| 引脚数 | 3 |
| 类型 | NPN |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 直流电流增益（最小值） | 80 |
| 集电极 - 基极电压 | 180 V |
| 发射极 - 基极电压 | 6 V |
| 集电极电流（DC ） | 0.06 A |
| 直流电流增益 | 80 |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 200mV @ 5mA, 50mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 50nA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 10mA, 5V |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 功率 - 最大值 | 265mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 60mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 160V |
| 系列 | MMBT5551M3 |
| 身高 | 0.5 mm |
| 长度 | 1.2 mm |
| Pd - Power Dissipation | 640 mW |
| 品牌 | ON Semiconductor |
MMBT5551M3T5G也可以通过以下分类找到
MMBT5551M3T5G相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家